你好,游客 登录
背景:
阅读新闻

国家存储器基地项目正式开工

[日期:2017-01-05] 来源:  作者: [字体: ]
 

  楚天都市报副刊讯 楚天都市报讯(记者庞正 通讯员张珊妮 吴非)总投资240亿美元(约1600亿元人民币)的国家存储器基地项目,经过近一年的筹备调整,于2016年12月30日正式在武汉未来科技城开工建设。它标志着中国集成电路存储芯片产业,在规模化发展上实现了“零”的突破。

  位于光谷东的该基地,将建设3座全球单座洁净面积最大的3DNANDFlashFAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑。一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

  集成电路是信息技术产业的核心,是支撑社会经济发展和保障国家信息安全、产业安全的战略性、基础性和先导性产业,而存储器最能代表集成电路产业规模经济效益和先进制造工艺。位于武汉的国家存储器基地项目将以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体。项目建成后,以此为龙头将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,将为中国打破主流存储器领域空白,实现产业和经济跨越发展提供重要支撑。目前,湖北省和武汉市正在举全省、全市之力,聚全球资源,将这一项目打造成湖北省调结构、实现转型跨越发展的千亿高科技产业项目。

  国家存储器基地项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国介绍,国家存储器基地不仅是中国集成电路行业单体投资最大的项目、湖北省最大的投资项目,更是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破。“这个项目对中国科技事业的意义,不亚于辽宁号航空母舰出海试航。”

  工业和信息化部和国家发展改革委相关领导表示,国家存储器基地项目的实施必将进一步带动湖北省、武汉市集成电路产业发展,推动中部地区崛起和经济转型升级,促进我国集成电路产业向更高水平发展。将会同有关部门和地方,加强规划引导,大力推动、重点支持国家存储器基地项目建设,着力促进产业集聚和产业链协同。

收藏 推荐 打印 | 录入:Cstor | 阅读:
本文评论   查看全部评论 (0)
表情: 表情 姓名: 字数
点评:
       
评论声明
  • 尊重网上道德,遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
  • 承担一切因您的行为而直接或间接导致的民事或刑事法律责任
  • 本站管理人员有权保留或删除其管辖留言中的任意内容
  • 本站有权在网站内转载或引用您的评论
  • 参与本评论即表明您已经阅读并接受上述条款
热门评论