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美光跳空大涨,RBC:存储器供给过剩风险已显著降低

[日期:2018-05-17] 来源:Technews科技新报  作者: [字体: ]

  CNBC 16 日报导,RBC 资本市场分析师 Amit Daryanani 初评美光科技(Micron Technology Inc.)给予「表现优于指数」的投资评等,目标价设定在 80 美元。

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  Daryanani 指出,1995 年存储器芯片厂商多达 15 家,如今只剩美光、三星、SK Hynix 三家,整并已令定价环境更趋于理性。此外,他还指出,2007 年个人电脑产业占存储器芯片市场约 42%,现已降至 16%;服务器与其他市场目前占存储器需求将近 50%。

  MarketWatch 报导,Daryanani 表示,随着 DRAM、NAND 制造成本逐渐攀高,供给过剩的风险已显著降低。他认为,即便在产业景气较坏的情况下,美光仍有能力让每股盈余、自由现金流量免于转为负值。

  苹果(Apple)CFO Luca Maestri 1 日在财报电话会议表示,存储器芯片价格预料将在不久后走低。他说,苹果预期 NAND 报价将在不久后走低;就 DRAM 而言,报价可能也逼近高峰,预估将在今年底触顶。

  美光预计于美东时间 21 日下午 1 时 30 分举办法说会。

  Barrons.com 14 日报导,Evercore ISI 分析师 CJ Muse 重申美光投资评等为「表现优于指数」,目标价上看 80 美元。Muse 认为,美光可能在 21 日的法说会宣布调高本季财测。华尔街目前预期美光本季每股盈余将达 2.85 美元,Muse 预期实际数字可能因 NAND 报价/毛利率优于预期以及 DRAM 报价续强而达 3 美元。

  IHS Markit 3 月 28 日公布,2017 年美光在全球半导体产业的排名自 2016 年的第 7 名升至第 4 名。美光 2017 年营收增幅在前 20 大厂商当中仅次 SK Hynix,年增 79.7% 至 228.43 亿美元。

  费城半导体指数成分股美光连续第 3 天走高,16 日跳空大涨 4.61% 收 56.50 美元,创 3 月 22 日以来收盘新高;今年迄今上涨 37.40%。

  费城半导体指数 16 日上涨 1.41% 收 1,370.10 点,创 3 月 26 日以来收盘新高;今年迄今上涨 9.34%。

  韩国两大存储器芯片厂 16 日同步走高。SK Hynix 上涨 2.84% 收 87,000 韩元,今年迄今上扬 13.73%。三星电子上涨 1.32% 收 49,850 韩元,四个交易日以来首度收高;今年迄今下跌 2.18%。

 

  三星电子(Samsung Electronics Co.)2018 年第 1 季半导体部门营益年增 83% 至 11.55 万亿韩元,占公司整体营益高达 74%。

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