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西部数据重装上阵,一举公布磁盘及存储卡等多款产品

[日期:2017-03-13] 来源:  作者: [字体: ]

西部数据集团向分析师们公布五(或者说六)款产品。其中包括氦气填充式驱动器、3D TLC NAND迷你SD卡以及一套承诺可提供高水平IOPS表现的高速闪存平台。

我们首先来看Ultrastar He12,这款容量为12 TB的氦气填充式驱动器在存储空间方面较上代Gen 3七碟片He10氦气填充式磁盘型号增加2 TB。

He12为HGST的第四代氦气填充式驱动器,其中包含八块存储碟片,尺寸为3.5英寸,存储碟片数量较六碟片8 TB高容量空气填充式驱动器增加两片。

其采用标准垂直磁记录技术——并未采用叠瓦式设计——即实现了12 TB存储容量水平,单一存储碟片容量为1.5 TB。

此驱动器为7200转,且配备有单一12 Gbit每秒SAS接口或6 Gbit每秒SATA接口。其中包含自加密功能以及Instant Secure Erase,即即时安全擦除机制。其MTBF(即平均故障前时间)为250万小时,且提供五年质保服务。上述特性与He10产品完全一致。

通过将叠瓦设计方案引入此驱动器,HGST方面目前正在开发一款14 TB磁盘驱动器。该公司表示,这款产品将主要面向那些软件架构内可实现SMR支持的云服务供应商。HGST公司的叠瓦设计为主机管理型,而非驱动器管理型。

希捷公司的氦气填充式驱动器目前的容量在10 TB水平,其正尝试利用HAMR技术将其提升至16 TB,据我们了解具体时间点应在2018年到2019年。东芝公司容量最高的驱动器为8 TB X300 Premium,但其目前尚未推出任何氦气填充式解决方案。

西部数据方面指出,该公司截至目前已经发货超过1200万块氦气填充式驱动器,且毫无疑问其将很快把这一销售数字翻倍。

西部数据Ultrastar SSD与磁盘驱动器产品

SSD

我们目前已经看到Ultrastar品牌下的SS200与SN200两款产品。二者分别为容量优化型与使用寿命优化型产品,且在其五年质保期内分别可提供每天一次全盘写入(简称DWPD)与每天三次全盘写入寿命。

SN200为一款2.5英寸NVMe驱动器,且采取半高、半长(简称HH-HL)接入卡格式。其能够有效取代现有SN100产品,并提供更高容量与速度水平。

此2.5英寸版本的使用寿命优化版本分别为800 GB、1.6 TB、3.2 TB以及6.4 TB,而容量优化型版本则提供960 GB、1.92 TB、3.84 TB以及7.68 TB。HGST方面并未告知其使用的具体闪存类型。不过根据我们的猜测,其中应该为MLC 15纳米SanDisk NAND。

容量优化型与使用寿命优化型版本、2.5英寸与半高半长版本间的性能参数略有不同。基点2.5英寸版本的容量与使用寿命优化型产品最高随机读取IOPS皆为8万3千,但在随机写入IOPS方面,容量优化型为7万5千,使用寿命优化型则为20万。这两类型号在连续读取与写入速度方面则同样分别为每秒3.3 GB与每秒2.1 GB。

在半高半长版本方面,容量优化型随机读取IOPS为120万,随机写入IOPS则为7万5千; 使用寿命优化型随机读取IOPS同样为120万,随机写入IOPS则为20万。二者的连续读取带宽非常可观,达到每秒6.1 GB,但连续写入仅为每秒2.2 GB。

的写入延迟为20微秒,且在2.5英寸版本中提供双端口NVMe 1.2(第三代PCIe),但半长半高版本只提供单端口。二者的平均故障前时间均为200万小时,且皆具备闪存识别RAID与端到端路径保护机制。

这是一款非常出色的驱动器产品,西部数据方面表示其是目前市面上同等格式下容量最高的NVMe PCIe SSD。另外,其相较于西部数据的上一代NVMe兼容型Ultrastar SN150 SSD(仅提供半高半长版本)实现100%连续读取速度提升与61%随机读取性能提升。

西部数据方面还表示,其在随机读取/写入比例为七比三的情况下,可提供业界最佳的56万4 KiB IOPS,但这一成绩仅适用于其中的6.4 TB半高半长版本。

西部数据将这款驱动器视为工作负载密集型云与超大规模环境下的理想解决方案,其中包括电子商务、搜索、社交网络以及包括密集型分析在内的实时大规模数据处理等环境。

Ultrastar SS200

根据西部数据方面的说法,SS200是目前速度最快且容量最高的SAS SSD产品,这是一款双端口12 Gbit每秒驱动器,同时提供容量优化与使用寿命优化型版本。西部数据方面指出,其采用SanDisk 15纳米NAND,据我们猜测其应该为MLC(即二层单元)。

其中使用寿命优化版本的存储容量分别为400 GB、800 GB、1.6 TB、3.2 TB以及6.4 TB,而容量优化版本则分别为480 GB、960 GB、1.92 TB、3.84 TB以及7.68 TB。二者皆提供25万随机读取IOPS,其中容量优化型驱动器的随机写入IOPS为3万7千,使用寿命优化型则为8万6千。

容量与使用寿命型驱动器的连续读取/写入数字皆为每秒1.8 GB与每秒1 GB,且二者的平均读取/写入延迟皆为100微秒。

与SN200一样,这两种版本皆提供自我加密选项、即时安全擦除以及250万小时平均故障前时间。西部数据方面指出,此驱动器主要面向存储阵列、超融合型与软件定义型架构,适合要求使用双端口设计的SAS接口以及数据密集型关键性企业与云应用。

高速闪存平台

西部数据将公布了一套即将推出的高速闪存平台。其将是一套采用NVMe驱动器的2U托架,通过PCIe接入服务器。该公司指出,目前该平台的测试性能为1800万IOPS,已经成为业界单机架单元中性能最高的解决方案。

该平台的目标市场为各类分散型云规模数据中心基础设施,西部数据方面同时指出,其还将把容量与性能进行分别配置; 这是为了向超整合型基础设施方案予以反击。不出所料,西部数据表示其将具备高可用性与可维护性。

该平台的潜在适用领域包括实时与数据流分析应用,例如信用卡欺诈检测、视频流分析、基于位置型服务、广告服务器、自动化系统以及立足于人工智能(简称AI)、机器学习(简称ML)或者深层学习(简称DL)的各类解决方案。

西部数据公司指出,其计划将软件交付至开源社区,用以更好地贡献并支持此项技术。

迷你SD卡

SanDisk公司目前的Edge 356 GB迷你SD卡采用64层3D TLC9三层单元)闪存。此类闪存亦被称为BiCS3,且明显优于上一代48层BiCS2方案。我们期待着BiCS3 SSD能够如其承诺那样提供等同于甚至高于最新SS200与SN200 SSD的存储容量水平。

这款Edge卡以OEM形式供监控、摄像头以及无人机等使用。

在本次分析师日活动中,尼古拉斯公司总经理Aaron Rakers向Memory Technology公司执行副总裁Siva Sivaram博士发函称,BiCS3 64层技术路线图将贯穿整个2017年,其中包括二层单元(MLC)、三层单元(TLC)以及四层单元(QLC)。他预计BiCS3 64层3D NAND将进入大规模量产,而设备容量将在16 GB到32 TB区间。

根据Rakers的说法,Sivaram博士亦预计初代ReRAM(即电阻式RAM)存储级内存产品将在2018年下半年出现,而第二代方案则将出现于2019年。西部数据方面认为,DRAM在扩展能力方面局限严重,因此需要出现Sivaram提到的所谓SDM-ReRAM作为扩展性解决方案。

这不禁让我们想到了HPE公司将要使用的ReRAM存储级内存。

上市时间

Edge卡目前已经开始全面发售。高速闪存平台将于2017年上半年正式投放市场。

为了取悦金融分析师,西部数据方面还宣布其已经与三星公司签订了一份为期八年的交叉授权协议。Rakers估计,这一协议将在2017财年第二季度带来约3000万美元营收。

新的Ultrastar SSD与Edge卡一样目前已经开始销售。He12与He14磁盘驱动器则正在向特定客户提供测试样品。

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